Samsung a annoncé aujourd'hui le lancement de sa production de masse de puces mémoire Flash de type NAND de 2 Go (ou 16 Gbit) associées à une finesse de gravure de 51 nanomètres. Samsung précise à ce sujet que le passage du 60 au 51 nanomètres permet à ses puces Flash de consommer 60% d'énergie en moins.
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Samsung annonce aussi des performances améliorées avec un débit en lecture de 30 Mo/seconde et une vitesse d'écriture de 8 Mo/seconde à comparer aux 17 Mo/seconde et aux 4,4 Mo/seconde obtenus avec de la mémoire Flash en 60 nanomètres.
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Le fabricant coréen pendant que ses puces se retrouveront dans un certain nombre de produits grand public d'ici la fin de l'année et permettra de proposer notamment des cartes mémoires de 16 Go. 